Study of Electrical and Photoelectric Phenomena in Structures Based on Manganese Silicon Contact with Manganese High Silicon Membrane


  • (1)  Akhmadjon Jurayevich Khusanov            Docent, Kokand state pedagogical institute Kokand, Uzbekistan  
            Uzbekistan

    (*) Corresponding Author

DOI:

https://doi.org/10.47494/mesb.v18i.926

Keywords:

silicon, manganese high alkali, gas phase, atoms, diffusion, structure, surface, morphology, phase composition

Abstract

The physical properties of the manganese silicide layer formed on the silicon surface have been studied. The layer of manganese silicides was obtained by the solid phase reaction method on the silicon surface, in which a very pure manganese metal, a chemically refined monocrystalline silicon surface, was obtained. After the formation of manganese silicides on the surface of silicon, its crystal lattice structure, morphology and phase composition were studied using electron and electron microscope devices, electron microscope JXA-840 and electron microscope XL 30SFED. It has been shown that the formation of a layer of manganese silicon on silicon depends on the dynamic process of stable and unstable conditions.

Downloads

Download data is not yet available.

References

Баходирхонов М.К., Комилов Т.С., Хусанов А.Ж. “Поликристаллические неселективные приёмники излучения на основе плёнок высшего силицида марганца” письма ЖТФ, 2002г, №22. С.11-16

М.К.Баходирхонов, Т.С.Камилов, А.Ж.Хусанов, Г.И.Иванкин, И.В.Занавескина «Исследование, влияния переходного слоя на фотоэлектрические свойства в структурах высшего силицида - марганеца (ВСМ) -Si-M»// Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные иследования. 2002, № 6. С.100-103

Т.С.Камилов, Ф.Кучкарова, М.М.Ахмедов, М.Т.Ботиров,

А.Ж.Хусанов «О механизме возникновения статической отрицательной дифференциальной фотопроводимости N-типа в структурах высшего силицида марганца (ВСМ) -Si-M» // Известия ВУЗов Узбекистана, 2003, №2.

Патент №IHDP9900594.1 РУз Комилов Т.С., Церфис Р.А., Хусанов

А.Ж., Онаркулов К.Э., Хакимов Ш.К. «Способ изготовления анизотропного термодатчика на силицида марганеца»

Камилов Т.С., Хусанов А.Ж., Онаркулов К.Э. «Марганец силицид асосидаги поликиристал ИК қабул қилгичлар» илмий мақолалар тўплами.-INFRA-2000 халқаро илмий анжуман. Тошкент, 2000, 198-199 бетлар.

Т.С.Камилов, А.Ж.Хусанов, А.А.Узоқов «Исследование, влияние переходного слоя на фотоэлектрические свойства в структурах высшего силицид – марганеца (ВСМ)- -Si-M» IV-Республика илмий – амалий анжумани. ТДАИ. Тошкент, 2002, 74-75 бетлар.

Kamilov T.S. and Khusanov A.Zh. “Policristalline non-selective Photodetectors based on films of higher manganese silicides” 14th International Simposium on Boron, Boredes and Ralated Compounds (ISSB’02), Saint Petersburg, Russia, June 9-14, 2002p 133

Published

2021-12-06

How to Cite

Khusanov, A. J. (2021). Study of Electrical and Photoelectric Phenomena in Structures Based on Manganese Silicon Contact with Manganese High Silicon Membrane. Middle European Scientific Bulletin, 18, 5-7. https://doi.org/10.47494/mesb.v18i.926

Issue

Section

Science